GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
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时间:2024-05-05 23:26:29
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基本信息
| 标准名称： | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 |
| 英文名称： | Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属理化性能试验方法 >> 金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料试验综合 |
| 替代情况： | 替代GB/T 4326-1984 |
| 发布部门： | 国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2006-07-18 |
| 实施日期： | 2006-11-01 |
| 首发日期： | 1984-04-12 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 全国有色金属标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 北京有色金属研究总院 |
| 起草人： | 王彤涵 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2006-11-01 |
| 页数： | 15页 |
| 计划单号： | 20021939-T-610 |
适用范围
本标准规定的测量方法适用于非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达104Ω·cm
前言
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所属分类： 冶金 金属理化性能试验方法 金属物理性能试验方法 冶金 金属材料试验 金属材料试验综合
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